TFT液晶顯示屏製程工藝有以下幾局部：在 TFT 基板上構成 TFT 陣列；在彩色濾光片基板上構成彩色濾光圖案及 ITO 導電層；用兩塊基板構成液晶盒；裝置外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝。
1. 在TFT基板上構成TFT 陣列的工藝
現已完成產業化的 TFT 類型包括：非晶矽 TFT （ a-Si TFT ）、多晶矽 TFT （ p-Si TFT ）、單晶矽 TFT(c-Si TFT) 幾種。目前運用多的仍是 a-Si TFT 。
a-Si TFT 的製造工藝是先在硼矽玻璃基板上濺射柵極資料膜，經掩膜曝光、顯影、幹法蝕刻後構成柵極布線圖案。普通掩膜曝光用步進曝光機。第二步是用 PECVD 法停止連續成膜，構成 SiNx 膜、非摻雜 a-Si 膜，摻磷 n+a-Si 膜。然後再停止掩膜曝光及幹法蝕刻構成 TFT 局部的 a-Si 圖案。第三步是用濺射成膜法構成透明電極（ ITO 膜），再經掩膜曝光及濕法蝕刻構成顯現電極圖案。第四步柵極端部絕緣膜的接觸孔圖案構成則是運用掩膜曝光及幹法蝕刻法。第五步是將 AL 等停止濺射成膜，用掩膜曝光、蝕刻構成 TFT 的源極、漏極以及信號線圖案。用 PECVD 法構成維護絕緣膜，再用掩膜曝光及幹法蝕刻停止絕緣膜的蝕刻成形， ( 該維護膜用於對柵極以及信號線電極端部和顯現電極的維護 ) 。至此，整個工藝流程完成。
TFT 陣列工藝是 TFT-LCD 製造工藝的關鍵 , 也是設備投資的局部。整個工藝請求在很高的淨化條件（例如 10 級）下停止。
2. 在彩色濾光片（ CF ）基板上構成彩色濾光圖案的工藝
彩色濾光片著色局部的構成辦法有染料法、顏料分散法、印刷法、電解堆積法、噴墨法。目前以顏料分散法為主。
顏料分散法的第一步是將顆粒平均的微細顏料（均勻粒徑小於 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光樹脂中。然後將它們依次用塗敷、曝光、顯影工藝辦法，依次構成 R. G. B 三色圖案。在製造中運用光蝕刻技術，所用安裝主要是塗敷、曝光、顯影安裝。
為了避免漏光，在 RGB 三色接壤處普通都要加黑矩陣（ BM ）。以往多用濺射法構成單層金屬鉻膜，如今也有改用金屬鉻和氧化鉻複合型的 BM 膜或樹脂混合碳的樹脂型 BM 。
此外，還需求在 BM 上製做一層維護膜及構成 IT0 電極 , 由於帶有彩色濾光片的基板是作為液晶屏的前基板與帶有 TFT 的後基板一同構成液晶盒。所以必需關注好定位問題，使彩色濾光片的各單元與 TFT 基板各像素相對應。
3. 液晶盒的製備工藝
首先是在上下基板外表分別塗敷聚酰亞胺膜並經過摩擦工藝，構成可誘導分子按請求排列的取向膜。之後在 TFT 陣列基板周邊布好密封膠資料，並在基板上噴灑襯墊。同時在 CF 基板的透明電極末端塗布銀漿。然後將兩塊基板對位粘接，使 CF 圖案與 TFT 像素圖案逐個對正，再經熱處置使密封資料固化。在印刷密封資料時，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。
近年來 , 隨著技術進步和基板尺寸的不時加大 , 在盒的製做工藝上也有很大的改良 , 比擬有代表性的是灌晶方式的改動 , 從原來的成盒後灌注改為 ODF 法 , 即灌晶與成盒同步停止。另外 . 墊襯方式也不再采用傳統的噴灑法 , 而是直接在陣列上用光刻法製造。
4. 外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝工藝
在液晶盒製造工藝完成後，在麵板上需求裝置外圍驅動電路，再在兩塊基板外表貼上偏振片。假如是透射型 LCD. 還要裝置背光源。
資料和工藝是影響產品性能的兩個主要要素，TFT-LCD 經過上麵四道主要製程，大量冗雜的製造工藝才構成我們所看到的產品。
